ラップマスターSFT株式会社

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Leading Enhancement Technology

               
 

 

*****沿革*****

 

 

 

 

昭和32年: 帝人商事株式会社機械部が、米国ジョンクレーン社よりラップマスターラップ盤の日本総代理権を取得。
昭和34年: 同ジョンクレーン社と技術提携。ラップマスターラップ盤の国産化スタート。
昭和45年: 日本の半導体開発に伴い、シリコンウェーハ用全自動ポリッシュ盤を開発
昭和51年: 10月1日帝人商事株式会社機械部より、業務拡大と充実を図る為、分離独立し芝山機械株式会社を設立。ラップマスターの商権を継承。
昭和63年: 4月1日芝山機械株式会社より、業務拡大と専業化政策の一環としてラップマスターSFT株式会社を設立。資本金1,000万円にて開業。
平成元年12月: 資本金を2,000万円に増資。
平成5年9月: 業務拡大に伴い、資本金を5,000万円に増資。
平成6年5月: VEC研究型企業認定により、200mm全自動CMPマシーン開発。
平成6年9月: 業務拡大に伴い、資本金を8,000万円に増資。
平成7年9月: 業務拡大に伴い、資本金を1億8,000万円に増資。
平成7年12月: 通商産業大臣より、特定新規事業に認定。
平成8年3月: 全自動CMPマシーン量産化スタート
平成8年9月: 業務拡大に伴い、資本金を2億2,500万円に増資。
平成8年10月: 300mm対応全自動CMPマシーン開発。
平成8年11月: ラップマスターSFT台湾工場設立。
平成9年3月: 業務拡大に伴い、資本金を2億3,500万円に増資。
平成9年6月: 300mm/400mm対応全自動平坦度測定装置開発。
平成9年10月: 業務拡大に伴い、資本金を2億4,350万円に増資。
平成10年1月: 大口径ウェーハ対応ダクタイルモード平面研削盤開発。
平成10年6月: 世界初400mm対応全自動CMPマシーン開発。
平成11年1月: 200mm高品位ベアシリコンウェーハ対応全自動CMPマシーン開発。
平成11年7月: 日立精機株式会社と資本提携。新規事業投資株式会社支援の元、第三者割当増資を実施。資本金3億8,705万円。
平成11年10月: 大口径ウェーハ対応ポストCMPクリーニングシステム開発。
平成11年12月: 明治機械株式会社と業務提携。
平成12年2月: 本社を業務拡大の為、千代田区へ移転。同時にショールームを中央区へ新規開設。
平成13年2月: 浜井産業株式会社と製造協定。
平成13年5月: クリーンルームを栃木県足利市に新規開設。
平成14年3月: 150mm高精度ウェーハ対応全自動CMPマシーン開発。
平成14年7月: スマートチップ対応全自動グライディングポリッシングマシーン開発。
平成16年5月: 韓国セクロン社とCMG-702SXJに関して技術提携し、韓国で生産開始。
平成16年8月: 明治機械(株)が第三者割当増資を引き受け、資本金10億6,025万円とする。明治機械(株)の子会社となる。
平成17年3月: 業務拡大に伴い行徳にテクノセンター開設。
平成17年9月: 資本金10億6,025万円を、減資により資本金2億8,725万円とする。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

               
   
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